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RM110N90DF

N-Channel Trench MOSFET

Features High Efficiency Low Dense Cell Design VDSS≥90V RDS(ON)≦4.7mΩ@VGS=10V improved dv/dt capability Reliable and Rugged Application Halogen-free Networking, Load Swtich LED lighting , Quick Charger

RECTRON

丽正国际

RM110N90DF

MOSFET

RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-9-26 15:19:00
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