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RM110N82T2

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM110N82T2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON)

RECTRON

丽正国际

RM110N82T2

MOSFET

RECTRON

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更新时间:2025-9-25 13:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
TO-220
986966
国产
ENDRIVE(常州能动)
2021+
SIP
515
HAMOS/汉姆
23+
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