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RM110N100BT2

N-Channel Trench MOSFET

Features Advanced trench cell design Low Thermal Resistance VDSS≥100V RDS(ON)≦4.1mΩ@VGS=10V

RECTRON

丽正国际

RM110N100BT2

MOSFET

RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-12-24 16:38:00
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