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RJP65T54DPM

Trench Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.68V@VGE=15V, IC=30A · High speed switching · Isolated package APPLICATIONS · Uninterrupted Power Supply · Solar Converters · Welding Converters · High Voltage Auxiliaries

ISC

无锡固电

650V - 30A - IGBT

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RENESAS

瑞萨

IGBT 650V 30A TO-3PFP

RENESAS

瑞萨

封装/外壳:SC-94 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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知名厂家

Partial switching circuit

RENESAS

瑞萨

Partial switching circuit

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RENESAS

瑞萨

封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH TO-3FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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更新时间:2025-10-30 17:58:00
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