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RJP63K2DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) 2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ 3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ. 4. Low leak current: ICES= 1 A max 5. Isolated package TO-220FL

RENESAS

瑞萨

RJP63K2DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RENESAS

瑞萨

RJP63K2DPP-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP63K2DPP-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7523
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
17138
原厂直销,现货供应,账期支持!
RENSHAY
24+
TO-220F
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Renesas(瑞萨)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS
PBFREE
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
Renesas
21+
-
12895
只做原装鄙视假货15118075546
RENESAS/瑞萨
25+
PBFREE
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS丨全系列供应
23+
RENESAS丨全系列供应
5800
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货

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