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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=14.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS

POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES

文件:40.48 Kbytes Page:1 Pages

MICRONETICS

Micronetics, Inc.

MICRONETICS
更新时间:2025-7-31 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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