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RJP30H1DPP-M0

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax. ●IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJP30H1DPP-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30H1DPP-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-6-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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