型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJK0632JPD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 35mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

RJK0632JPD

60 V, 20 A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESAS

瑞萨

RJK0632JPD

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

RJK0632JPD

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

RJK0632JPD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

60 V, 20 A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

single-chip synthesizing CMOS VLSI

GENERAL DESCRIPTION: The AV0332C, AV0632E, AV0932B, AV0932C, AV1232D, AV1832C, AV2432B, AV3032, AV4232,is a single-chip synthesizing CMOS VLSI that can synthesize voice up to 3,6,9,12,18,24,30,42 seconds ,using APLUS qualified coding algorithm (LOGPCM).Customer speech data will be edited and pr

APLUS

巨华

Double-Ended Cordsets

BCC M425-M423-3A-302-EX43T2-010 Basic features Approval/Conformity CE cULus WEEE

Balluff

巴鲁夫

GaAs SP2T

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DAICO

RJK0632JPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK0632JPD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-19 15:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2511
TO-251
10
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS/瑞萨
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原装进口,免费送样品!
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2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
RENESAS/瑞萨
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TO-252
300000
现货很近!原厂很远!只做原装
Renesas(瑞萨)
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封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
RENESAS/瑞萨
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TO252
2919
十五年行业诚信经营,专注全新正品

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