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RJK0631JPD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 15mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

RJK0631JPD

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

RENESAS

瑞萨

RJK0631JPD

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

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RJK0631JPD

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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RJK0631JPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK0631JPD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-20 10:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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