型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJJ0601JPE

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 11mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

RJJ0601JPE

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESAS

瑞萨

RJJ0601JPE

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Outgassing Compliant Current Sensors

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RJJ0601JPE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJJ0601JPE

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-23 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
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TO263
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
RENESAS
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TO-220F
5000
全新原装正品,现货销售
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TO-252
80000
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RENESAS/瑞萨
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TO263
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SOT252
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
RENESAS/瑞萨
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TO263
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20+
TO252
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汽车电子原装主营-可开原型号增税票
RENESAS
24+
TO-220F
8000
新到现货,只做全新原装正品
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VBsemi
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TO252
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