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RJHSEJF84A4

包装:托盘 描述:CONN MOD JACK 8P8C R/A SHLD 连接器,互连器件 模块化连接器插孔

CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

CTS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■40V,90A,RDS(ON)=5.1mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■40V,80A,RDS(ON)=5.1mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 40V,85A,RDS(ON)=4.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.4mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■40V,90A,RDS(ON)=5.1mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.71893 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-6-1 9:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Amphenol/安费诺
24+
4105
原厂现货渠道

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