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SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=17A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

3.0ABRIDGERECTIFIER

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
更新时间:2025-6-7 11:09:01
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