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SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tr=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp,trr=23nstyp

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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Trenchgateandthinwafertechnology

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RJH30H2DPK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH30H2DPK

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-6-8 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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