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RJF0619JPD

60V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching

Features • Logic level operation (4 V Gate drive). • Built-in the over temperature shut-down circuit. • High endurance capability against to the short circuit. • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery). • Built-in the current limitation circuit. • Power supply voltage applie

RENESAS

瑞萨

RJF0619JPD

Silicon N Channel MOSFET Series Power Switching

RENESAS

瑞萨

60V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching

Features • Logic level operation (4 V Gate drive). • Built-in the over temperature shut-down circuit. • High endurance capability against to the short circuit. • Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery). • Built-in the current limitation circuit. • Power supply voltage applie

RENESAS

瑞萨

60V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching

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RENESAS

瑞萨

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:ABU / MOSFET 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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村田

更新时间:2025-10-28 17:19:00
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