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芯片资料

参考价格：￥12.0790

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RGTH80TS65	650V40AFieldStopTrenchIGBT 文件：1.00745 Mbytes Page：11 Pages	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
RGTH80TS65DGC11	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 650V 70A 234W TO-247N 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ETC 知名厂家	ETC
RGTH80TS65DGC13	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ETC 知名厂家	ETC
RGS80TS65HR	650V40AFieldStopTrenchIGBT Features 1)LowCollector-EmitterSaturationVoltage 2)ShortCircuitWithstandTime8μs 3)QualifiedtoAEC-Q101 4)Pb-freeLeadPlating;RoHSCompliant Application HeaterforAutomotive	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
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RGT80TS65D	650V40AFieldStopTrenchIGBT 文件：733.94 Kbytes Page：12 Pages	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团

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更新时间：2025-5-17 19:10:00

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RH5RI301B-T1
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2020-11-13
RGF1B-E3/67A产品规格参数资料原装正品现货
RGF1B-E3/67A产品规格参数
2020-8-26
RF片上系统 - SoC NRF51822-CEAA-R 承诺百分之百原装
Wi-FiRF片上系统-SoC,BluetoothRF片上系统-SoC,BluetoothARMCortexM4RF片上系统-SoC,-104dBmBluetoothRF片上系统-SoC,STM32WB55CGRF片上系统-SoC,868MHzRF片上系统-SoC
2020-4-15
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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
2019-11-20
RF片上系统，ATSAMB11G18A-MU-T代理原装现货-和诺泰
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2019-8-30
RH1009-2.5V基准
描述该RH1009是通用为2.5V并联稳压器二极管设计工作在宽电流范围内，而保持与时间和温度稳定性好。该调整终端允许使用温度系数为最小化或参考电压调整不改变温度系数。因为它的运作作为一个并联稳压器可用于同样也是一个积极的或负参考。晶圆地段进行处理，凌特公司内训S级流产生电路可用在严格军事上的应用。反向击穿电流................................20mA的正向电流...................................................为10mA工作温度范围..
2013-3-15