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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
RGP20MA	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-2.0Amperes FEATURES GPRC(GlassPassivatedRectifierChip)inside Glasspassivatedcavity-freejunction CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 Foruseinhighfrequencerectifiercircuits *Fastsw	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司
RGP20MA	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER FEATURES GPRC(GlassPassivatedRectifierChip)inside Glasspassivatedcavity-freejunction CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 Foruseinhighfrequencerectifiercircuits Fastswitchingforhighefficiency 2.0AmperesoperationatTA=55oCwith	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
RGP20MA	Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifiers Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 2.0A ReverseVoltage50to1000VForwardCurrent2.0A FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction Glasspassivatedchip CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-1950	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
RGP20MAH	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER 文件：59.02 Kbytes Page：2 Pages	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司

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更新时间：2024-6-16 10:40:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RGP25J-E3/54	VISHAY/威世		AXIAL	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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RH5RI301B-T1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
RGF1B-E3/67A产品规格参数资料原装正品现货
RGF1B-E3/67A产品规格参数
2020-8-26
RF片上系统 - SoC NRF51822-CEAA-R 承诺百分之百原装
Wi-FiRF片上系统-SoC,BluetoothRF片上系统-SoC,BluetoothARMCortexM4RF片上系统-SoC,-104dBmBluetoothRF片上系统-SoC,STM32WB55CGRF片上系统-SoC,868MHzRF片上系统-SoC
2020-4-15
RH5RZ50CA-T1-FE原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
2019-11-20
RF片上系统，ATSAMB11G18A-MU-T代理原装现货-和诺泰
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2019-8-30
RH1009-2.5V基准
描述该RH1009是通用为2.5V并联稳压器二极管设计工作在宽电流范围内，而保持与时间和温度稳定性好。该调整终端允许使用温度系数为最小化或参考电压调整不改变温度系数。因为它的运作作为一个并联稳压器可用于同样也是一个积极的或负参考。晶圆地段进行处理，凌特公司内训S级流产生电路可用在严格军事上的应用。反向击穿电流................................20mA的正向电流...................................................为10mA工作温度范围..
2013-3-15