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RGP10A_V01	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
EGP10A_V01	GlassPassivatedUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
GBJ10A_V01	10AGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability IdealforPrintedCircuitBoards RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司
GBU10A_V01	GBUPlastic-EncapulateBridgeRectifier Features ●Io10A ●VRRM50V-1000V ●Highsurgecurrentcapability Applications ●Glasspassivatedchip ●Generalpurpose1phaseBridge rectifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
GP10A_V01	GlassPassivatedJunctionPlasticRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsenvironmentalstandardMIL-S-19500 •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101q	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
GBU10A_V01	SinglePhaseGlassPassivatedSiliconBridgeRectifier 文件：973.93 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.

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更新时间：2025-5-20 23:21:00

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2020-8-26
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2020-4-15
RH5RZ50CA-T1-FE原装现货
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2019-11-20
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描述该RH1009是通用为2.5V并联稳压器二极管设计工作在宽电流范围内，而保持与时间和温度稳定性好。该调整终端允许使用温度系数为最小化或参考电压调整不改变温度系数。因为它的运作作为一个并联稳压器可用于同样也是一个积极的或负参考。晶圆地段进行处理，凌特公司内训S级流产生电路可用在严格军事上的应用。反向击穿电流................................20mA的正向电流...................................................为10mA工作温度范围..
2013-3-15

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