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位置：首页 > IC中文资料第765页 > RFP30N06

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RFP30N06LE

30A,60V,ESDRated,AvalancheRated,LogicLevelN-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs

Description TheRFP30N06LE,RF1S30N06LEandRF1S30N06LESMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theywere

HARRIS

HARRIS corporation

HARRIS
RFP30N06LE

30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
RFP30N06LE

30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
RFP30N06LE

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：1.32291 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
30N06

30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
30N06

30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：223.41 Kbytes Page：8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
30N06

FastSwitching

文件：64.91 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
30N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
30N06

60V,30AN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：309.86 Kbytes Page：8 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

RFP30N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFP30N06

  • 功能描述

    MOSFET TO-220AB N-Ch Power

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

RFP30N06供应商更多...

更新时间：2024-6-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
RFP30N06LE
FAIRCHILD/仙童
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RFP30N06LE
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RFP30N06LE
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TO220
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RFP30N06LE
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深圳市恒达亿科技有限公司
RFP30N06LE
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深圳市昌和盛利电子有限公司
RFP30N06LE
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深圳市恒创达实业有限公司
RFP30N06LE
FSC进口原
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TO-220
6200
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深圳市一线半导体有限公司
RFP30N06LE
FAI
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RFP30N06LE
H
23+
TOTO-220AB
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深圳市惊羽科技有限公司
RFP30N06LE
VBSEMI-微碧
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