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RFM10N12

N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice

GESSGE Solid State

GE Solid State

GESS
RFM10N12

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
RFM10N12

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

RFM10N12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFM10N12

  • 制造商

    GESS

  • 制造商全称

    GESS

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

更新时间:2024-5-22 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UCC
23+
SOP8
12000
全新原装假一赔十
INTERSIL
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
HARRIS(哈利斯)
23+
TO3
6000
HARRIS
2020+
N/A
174
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
HARRIS(哈利斯)
20+
TO-3
3000
MOSPEC
2023+
TO-3
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
HARRIS
1999
TO-3
1965
原装现货海量库存欢迎咨询
HARRIS
23+
TO-3
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ISC/固电
TO-3
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
MOSPEC
1635+
92
6000
好渠道!好价格!一片起卖!

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