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RF5110GPCBA-410

3V GSM POWER AMPLIFIER

Product Description The RF5110G is a high-power, high-efficiency power amplifier module offering high performance in GSM OR GPRS applications. The device is manufactured on an advanced GaAs HBT process, and has been designed for use as the final RF amplifier in GSM hand-held digital cellular eq

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GPCBA-410

3V GSM POWER AMPLIFIER

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RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GPCBA-410产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RF5110GPCBA-410

  • 制造商

    RFMD

  • 制造商全称

    RF Micro Devices

  • 功能描述

    3V GSM POWER AMPLIFIER

更新时间:2025-8-12 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
25+
QFN
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RFMD
QFN-16
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RFMD
23+
QFN
8678
原厂原装
RFMD
2017+
SMD
1585
只做原装正品假一赔十!
M/A-COM
24+
SMD
5000
M/A-COM专营品牌绝对进口原装假一赔十
RFMD
11+
QFN
31
原装现货
RFMD
QFN
1000
正品原装--自家现货-实单可谈
RFMD
23+
16-QFN
65480
RFMD
23+
QFN16
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RFMD
18+
QFN16
85600
保证进口原装可开17%增值税发票

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