| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: • Avalanche Rugged Technology • Rugged Gate Oxide Technology • Lower Input Capacitance • Improved Gate Charge • Extended Safe Operating Area • Lower RDS(on): 0.032Ω Typ • Lower Leakage Current: 10µA (Max) @ VDS = 100V | NTE |   | ||
3-Terminal Positive Regulator 文件：251.83 Kbytes Page：8 Pages | NSC 国半 | | ||
LOW DROP OUT VOLTAGE REGULATOR 文件：269.71 Kbytes Page：7 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE |
23+ |
39329 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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24+ |
N/A |
79000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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2022+ |
42 |
全新原装 货期两周 |
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REF3012AIDBZR
原装代理
2023-12-12REF2933AIDBZT
REF2933AIDBZT
2023-6-5REF2912AIDBZR全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-8-7REF3012-50ppm的/ C最大值，50uA的，采用SOT23-3 CMOS电压基准
描述 该REF30xx是一个高精度，低功耗，低电压差电压参考系列采用SOT23-3，配套。该REF30xx小尺寸和低功耗（50μA的最大值）使其非常适合于便携式和电池供电的应用。该REF30xx不需要负载电容，但稳定的任何容性负载。卸载，可以操作的REF30xx内具用品1mV的输出电压。所有型号均指定为广泛温度范围-40 ° C至+125° C的... 特征 MicroSIZE包装：采用SOT23- 3 低压差：为1mV 高输出电流：25mA 高精度：0.2％ 低IQ：5
2013-3-16REF2912-CMOS电压基准
描述 该REF29xx是高精度，低功耗，低电压差电压参考系列采用SOT23-3，配套。该REF29xx的小尺寸和低功耗（50μA的最大值）使其非常适合于便携式和电池供电申请。该REF29xx不需要负载电容，但与任何容性负载稳定。卸载，可以操作的REF29xx内具用品1mV的输出电压。所有型号均指定为广泛温度范围-40 ° C至+125° C的 特征 MicroSIZE包装：采用SOT23- 3 低压差：为1mV 高输出电流：25mA 低温漂：为100ppm/掳C最大值 高
2013-3-16REF25Z-电压基准
描述 该REF25Z和REF25D使用集成电路带隙的原则，提供精确稳定的参考电压，无需外部2.5V的塑造电容。有两种封装选择：REF25Z在塑料3引脚TO- 92，并在微型表面REF25D安装封装（MP8）。这些提法的特点推荐工作电流作者：60mA的至5mA这使它们非常适于各种低功耗和电池的应用。DS2428- 2.2 特征 低膝关节电流- 通常是40微安 为电池供电的理想- 150微瓦 内部形 REF25Z- 3脚TO- 92塑料封装 REF25D- 微型表面贴装塑料封装（MP8
2013-3-16
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