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位置：首页 > IC中文资料第6625页 > RDN120N25

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RDN120N25

Switching(250V,12A)

Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectricity. Application Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
IXFK120N25

HiPerFETPowerMOSFETs

SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Applications •DC-DCcon

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFK120N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFK120N25P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFK120N25P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •Switched-ModeandResonant-ModePowe

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXFH120N25T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

RDN120N25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RDN120N25

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

RDN120N25供应商更多...

更新时间：2025-6-14 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
RDN120N25
ROHM/罗姆
24+
NA/
65
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
RDN120N25
ROHM
24+
TO-220F
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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深圳市赛美科科技有限公司
RDN150N20
TO-220
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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深圳市一线半导体有限公司
RDN120N25
RohmSemiconductor
24+
TO-220FM-3
134
询价
深圳市创新迹电子有限公司
RDN120N25
ROHM/罗姆
22+
TO-220FN
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
深圳市博浩通科技有限公司
RDN120N25
Rohm
23+
TO-220FM
7750
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
RDN120N25
ROHM
23+
TO-220F
65
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市威尔健半导体有限公司
RDN120N25
ROHM/罗姆
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市中福国际管理有限公司
RDN120N25
ROHM
20+
TO-220F
65
进口原装现货,假一赔十
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
RDN120N25
Rohm Semiconductor
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
询价

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