型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RD40120J

RADIAL LEADED INDUCTORS

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ABCO

120 W, RF Power GaN HEMT

Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

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CREE

科锐

120 W, RF Power GaN HEMT

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CREE

科锐

120 W, RF Power GaN HEMT

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CREE

科锐

RD40120J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RD40120J

  • 制造商

    ABCO

  • 制造商全称

    ABCO

  • 功能描述

    RADIAL LEADED INDUCTORS

更新时间:2026-3-2 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RD
24+
SOT23-5
31171
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价
RD
1925+
SOT23-5
12500
原装现货价格优势可供更多可出样
KOREA
25+
3.9mm
2987
绝对全新原装现货供应!
RD
20+
SOT23-5
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RD
22+
SOT23-5
20000
只做原装
ROHM
95+
*
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RCR
2450+
SOP8
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
RD
24+
SOP8
60000
NANA
24+
NO
100
RD
24+
SOT23-5
9600
原装现货,优势供应,支持实单!

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