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RD35HUP2

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD35HUP2

MITSUBISHI

三菱电机

RD35HUP2产品属性

  • 类型

    描述

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Freqency:

    175 / 530MHz

  • Output Power (Min):

    35(typ)W

  • Package:

    HPM

  • Input Power (Typ):

    3W

  • Drain Efficiency (Min):

    55(typ)%

  • Feature:

    built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

更新时间:2026-5-22 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISH
23+
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