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RD100HHF1

MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications.

DESCRIPTION RD100HHF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V,f=30MHz High Efficiency: 60typ.on HF Band APPLICATION For output stage of high power amplifie

Mitsubishi

三菱电机

RD100HHF1

Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

文件:267.18 Kbytes Page:8 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD100HHF1

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

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三菱电机

RD100HHF1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD100HHF1

Mitsubishi

三菱电机

Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

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三菱电机

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

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RD100HHF1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RD100HHF1

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications.

更新时间:2025-11-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
MITSUBI
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24+
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12+
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原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功率和高增益的MOS FET型晶体管。噘>100W,GP>11.5分贝@ VDD =12.5V,F =30MHz的高效率:60%typ.on HF乐队中的应用对于高功率放大器在HF波段移动无线电设备的输出级
MIT
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880000
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25+
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全新原装现货,价格优势
MITSUBISHI/三菱
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货

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