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RBQ30T65ANZ

Schottky Barrier Diode

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ROHM

罗姆

RBQ30T65ANZ

65V, 30A, 肖特基势垒二极管

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:RBQ30T65ANZ IS LOW IR 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ROHM

罗姆

Schottky Barrier Diode

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ROHM

罗姆

IGBT for Automotive Applications 650 V, 30 A

Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive applications. This technology is Short circuit rated and offers high figure of merit with low conduction and switching losses. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 17

ONSEMI

安森美半导体

IGBT for Automotive Application 650 V, 30 A

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ONSEMI

安森美半导体

IGBT for Automotive Applications

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ONSEMI

安森美半导体

Control Integrated POwer System

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-23 17:30:00
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