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Schottky Barrier Diode

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ROHM

罗姆

Schottky Barrier Diode

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ROHM

罗姆

High Speed IGBT3 Chip

Features: • 650V Trench & Field Stop technology • high speed switching series third generation • low VCE(sat) • low EMI • low turn-off losses • positive temperature coefficient • qualified according to JEDEC for target applications Recommended for: • discrete components and modules Appli

Infineon

英飞凌

650V trench & field stop technology

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-23 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
24+
NA/
900
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ROHM
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ROHM
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一级代理商进口原装现货、价格合理
ROHM/罗姆
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TO220FND3
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