| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
R6504KND3 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 |   | |
R6504KND3 | 650V 4A TO-252, 高速开关规格 功率MOSFET | ROHM 罗姆 | | |
R6504KND3 | Nch 650V 4A Power MOSFET 文件：2.2226 Mbytes Page：14 Pages | ROHM 罗姆 | |
更新时间：2026-1-3 9:16:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROCKWELL |
23+24 |
DIP- |
9680 |
原盒原标.进口原装.支持实单 .价格优势 |
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ROC |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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