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UHB100SC12E1BC3N中文资料

厂家型号

UHB100SC12E1BC3N

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1540.42Kbytes

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13

功能描述

1200V-100A SiC Half-Bridge Module

数据手册

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生产厂商

QORVO

UHB100SC12E1BC3N数据手册规格书PDF详情

Features

* Threshold voltage VG(th): 5V (typ) allowing 0 to 15V drive

* On-resistance: RDS(on) = 9.4mW (typ)

* Operating temperature: 150°C (max)

* Excellent reverse recovery: Qrr = 1000nC

* Low body diode voltage: VFSD = 1.4V

* Low gate charge: QG = 170nC

* Low intrinsic capacitance

* ESD protected: HBM class 2 and CDM class C3

更新时间:2025-10-20 14:04:00
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