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芯片资料

精确

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Features

* ESD protected: HBM class 2 and CDM class C3

* Low intrinsic capacitance

* On-resistance: RDS(on) = 35mW (typ)

* Operating temperature: 150°C (max)

* Excellent reverse recovery: Qrr = 244nC

* Low body diode voltage: VFSD= 1.4V

* Low gate charge: QG = 42.5nC

* Threshold voltage VG(th): 5V (typ) allowing 0 to 15V drive

UFB25SC12E1BC3N供应商...

更新时间：2025-10-9 11:10:00

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