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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFET

The ARF444 and ARF445 comprise a symmetric pair of RF power transistors designed for push-pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications. • Specified 300 Volt, 13.56 MHz Characteristics: • Output Power = 300 Watts. • Gain = 18.7dB (Typ.) • Efficiency = 83 (

ADPOW

High Voltage FET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER

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更新时间:2026-5-17 21:20:01
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