| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
QS5U33 | 4V Drive Pch+SBD MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管（SBD）形成了多种产品线来对应多样的市场需求。 •实现以2.9×2.8mm安装面积的高功率小空间的MOSFET; | ROHM 罗姆 |   | |
QS5U33 | 丝印代码：U33；4V Drive PchSBD MOSFET 文件：89.61 Kbytes Page：5 Pages | ROHM 罗姆 | | |
QS5U33 | 丝印代码：U33；4V Drive Pch SBD MOSFET 文件：70.44 Kbytes Page：6 Pages | ROHM 罗姆 | | |
4V Drive Pch SBD MOSFET 文件：70.44 Kbytes Page：6 Pages | ROHM 罗姆 | |
QS5U33产品属性
- 类型
描述
- 封装：
TSMT5
- 包装数量：
3000
- 最小独立包装数量：
3000
- 包装形态：
Taping
- RoHS：
Yes
- Package Code：
SOT-25T
- Number of terminal：
5
- Polarity：
Pch+Schottky
- Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
- Drain Current ID[A]：
-2
- RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.16
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.145
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.095
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.16
- Total gate charge Qg[nC]：
3.4
- Power Dissipation (PD)[W]：
0.9
- Drive Voltage[V]：
-4
- Reverse voltage VR (Diode) [V]：
20
- Forward Current IF (Diode) [A]：
1
- Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]：
3
- Mounting Style：
Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
- Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)
更新时间：2026-5-17 17:02:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT23-5 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
RohmSemiconductor |
24+ |
TSMT5 |
7500 |
||||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT153 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
ROHM |
19+ |
TSMT5 |
200000 |
||||
ROHM/罗姆 |
2447 |
TSMT5 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-25 |
20000 |
只做原装 |
|||
SYFOREVER |
25+ |
SOT-26 |
20300 |
SYFOREVER原装特价QS5U33即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ROHM |
23+ |
TSMT5 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
ROHM |
1615+ |
SOT23-5 |
380 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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QS5U33规格书下载地址
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2020-8-23
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