| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
QPD1025LEVB2 | 1800 W, 65 V, 0.96 ??1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor Key Features Frequency: 0.96 to 1.215 GHz Output Power (P3dB)1: 1862 W Linear Gain1: 22.5 dB Typical PAE3dB 1: 77.2 Operating Voltage: 65 V CW and Pulse capable | QORVO 威讯联合 |   | |
QPD1025LEVB2 | 1800 W, 65 V, 0.96 ??1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 文件：3.15518 Mbytes Page：27 Pages | QORVO 威讯联合 | |
更新时间：2026-5-19 20:28:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-8-25
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