| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1Megabit(128Kx8-bit/64Kx16-bit)CMOS5.0Volt-only,BootSectorFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm29F100isa1Mbit,5.0Volt-onlyFlashmemoryorganizedas131,072bytesor65,536words.TheAm29F100isofferedin44-pinSOand48-pinTSOPpackages.Word-widedataappearsonDQ0-DQ15;byte-widedataonDQ0-DQ7.Thedeviceisdesignedtobeprogrammedin-systemwith | AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.44Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
1Mbit128Kbx8or64Kbx16,BootBlockSingleSupplyFlashMemory DESCRIPTION TheM29F100isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-ByteorWordby-Wordbasisusingonlyasingle5VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.Thede | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
1000V,29A,0.46廓Max,trr??70nsN-ChannelFREDFET 文件：401.43 Kbytes Page：4 Pages | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | | |
N-ChannelFREDFET 文件：129.57 Kbytes Page：4 Pages | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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