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LC821中文资料

厂家型号

LC821

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功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

LC821数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet™ process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

8.0 Watts Single Ended

Package Style AC

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

LC821产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LC821

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

更新时间:2026-7-30 13:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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