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F1008中文资料

厂家型号

F1008

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功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

F1008数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high F enhance broadband performance

F1008产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F1008

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2025-10-13 17:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
24+
VQFN
7850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
POLYFET
24+
227
现货供应
POLYFET
23+
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POLYFET
1607+
假一赔十
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POLYFET
23+
2503
原厂原装正品
POLYFET
2023+
假一赔十
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
POLYFET
23+
假一赔十
3
全新原装正品现货,支持订货
Honeywell
5
全新原装 货期两周
Honeywell
2022+
1
全新原装 货期两周
HONEYWELL
25+
传感器
396
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