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F1001C中文资料

厂家型号

F1001C

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33.8Kbytes

页面数量

2

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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简称

POLYFET

生产厂商

Polyfet RF Devices

中文名称

官网

LOGO

F1001C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F1001C

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2025-7-5 18:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
24+
199
现货供应
POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
13+
DIP
11276
原装分销
FN原装
25+23+
DIP
30425
绝对原装正品全新进口深圳现货
FN
23+
标准封装
24391
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
POLYSHINE
23+
1MDIPVariableResisto
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CJT
22+
N/A
2500
进口原装,优势现货
CJT
980
CJT
2022/5/31
con
980
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
FAIRCHIL
2447
QFN20
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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Polyfet RF Devices

中文资料: 367条

POLYFET自1988年以来专注于大功率RF MOSFET射频晶体管的开发和生产。其产品包括LDMOS(横向扩散MOSFET晶体管)和VDMOS(垂直扩散MOSFET晶体管)两大类。公司位于美国南加州,距离洛杉矶约一小时车程,凭借高品质产品、快速交货和卓越的客户服务,POLYFET帮助客户选择合适的晶体管,成功设计并应用于功率放大器,取得了显著的业绩。 POLYFET的产品广泛应用于通信行业的各个领域,包括通信电台、移动通信和寻呼基站、MRI成像仪、广播电视FM/TV发射设备以及激光驱动器等。其产品的使用寿命超过15年,为设备的稳定性和可靠性提供了强有力的保障。 此外,POLYFET还为使用