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F1001C中文资料

厂家型号

F1001C

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功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

F1001C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F1001C

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2025-10-13 13:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
24+
199
现货供应
POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
13+
DIP
11276
原装分销
FN原装
25+23+
DIP
30425
绝对原装正品全新进口深圳现货
FN
23+
标准封装
24391
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
POLYSHINE
23+
1MDIPVariableResisto
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CJT
980
CJT
2022/5/31
con
980
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
CJT
25+
DIP
6000
国产替换现货降本
FAIRCHIL
2447
QFN20
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货