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PSMN004-60P中文资料

厂家型号

PSMN004-60P

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279.83Kbytes

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13

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

MOSFET RAIL PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

PHI

PSMN004-60P数据手册规格书PDF详情

Description

N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching.

Applications

■ High frequency computer motherboard DC to DC converters

■ OR-ing applications.

PSMN004-60P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PSMN004-60P

  • 功能描述

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 10:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
2023+
SMD
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