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PMGD8000LN中文资料

厂家型号

PMGD8000LN

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233.8Kbytes

页面数量

12

功能描述

Dual UTrenchMOS logic level FET

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

数据手册

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生产厂商

PHI

PMGD8000LN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PMGD8000LN

  • 功能描述

    MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 15:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
2447
SOT353
100500
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恩XP
24+
标准封装
37048
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2020+PB
SOT363
11850
原装正品 可含税交易
恩XP
24+
SOT-363SOT-323-6
11100
新进库存/原装
恩XP
17+
SOT363
6200
100%原装正品现货
MAXIM
23+
SOT23-3
13000
原装正品,假一罚十