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PMGD400UN中文资料

厂家型号

PMGD400UN

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93.52Kbytes

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12

功能描述

Dual N-channel mTrenchMOS??ultra low level FET

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

数据手册

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生产厂商

PHI

PMGD400UN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PMGD400UN

  • 功能描述

    MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-7 14:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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