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PHP21N06LT中文资料

厂家型号

PHP21N06LT

文件大小

82.44Kbytes

页面数量

10

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

MOSFET RAIL PWR-MOS

数据手册

下载地址一下载地址二

简称

PHILIPS飞利浦

生产厂商

Philips Semiconductors

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

PHP21N06LT数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Logic level compatible

Applications:

• d.c. to d.c. converters

• switched mode power supplies

PHP21N06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHP21N06LT

  • 功能描述

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-18 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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