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PHK4NQ10T中文资料

厂家型号

PHK4NQ10T

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84.02Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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简称

PHILIPS飞利浦

生产厂商

Philips Semiconductors

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

PHK4NQ10T数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low profile surface mount package

Applications:-

• Motor and relay drivers

• d.c. to d.c. converters

PHK4NQ10T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHK4NQ10T

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-19 14:09:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
20+
SOP8
2960
诚信交易大量库存现货
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