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PHD3055E中文资料

厂家型号

PHD3055E

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10

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A

数据手册

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生产厂商

PHI

PHD3055E数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

• ’Trench’technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

PHD3055E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD3055E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 8:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
25+
TO252
190
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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25+
TO-252/D-PAK
32500
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全新原装正品现货,支持订货
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PHD3055E,118 价格

参考价格:¥3.1434

型号:PHD3055E,118 品牌:NXP 备注:这里有PHD3055E多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PHD3055E批发/采购报价,PHD3055E行情走势销售排排榜,PHD3055E报价。