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PHB38N02LT中文资料

厂家型号

PHB38N02LT

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252.6Kbytes

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13

功能描述

TrenchMOS logic level FET

MOSFET TAPE13 MOSFET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB38N02LT数据手册规格书PDF详情

Description

N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHB38N02LT in SOT404 (D2-PAK)

PHD38N02LT in SOT428 (D-PAK).

Features

■ Low on-state resistance

■ 2.5 V gate drive.

Applications

■ Linear regulator for DDR memory.

PHB38N02LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB38N02LT

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-7-29 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
25+
TO-263
20000
普通
PHI
22+
TO
3000
原装正品,支持实单
PHI
17+
TO-263
6200
PHI
25+
TO-263
4500
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26+
TO-263
3658
芯为深仓现货
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25+
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90000
全新原装现货
PHI
23+
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