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PHB146NQ06LT中文资料

厂家型号

PHB146NQ06LT

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88.35Kbytes

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12

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB146NQ06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB146NQ06LT

  • 功能描述

    MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-30 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
25+
TO-263
20000
普通
PHI
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
恩XP
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
8000
只做原装现货
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
7000
恩XP
22+
TO-263
88087
N
25+
D2-PAK
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
恩XP
24+
SOT404TO-263D2PAK
60000
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产