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PDTD113ES中文资料

厂家型号

PDTD113ES

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10

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k-ohm, R2 = 1 k-ohm

开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

生产厂商

PHI

PDTD113ES产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PDTD113ES

  • 功能描述

    开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    NPN/PNP

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    200 mA

  • 最大工作频率

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V

  • 集电极连续电流

    150 mA

  • 功率耗散

    200 mW

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-2-4 14:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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