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PDTB113ET中文资料

厂家型号

PDTB113ET

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12

功能描述

Low VCEsat (BISS) transistors

开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

数据手册

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生产厂商

PHI

PDTB113ET产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PDTB113ET

  • 功能描述

    开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    NPN/PNP

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    200 mA

  • 最大工作频率

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V

  • 集电极连续电流

    150 mA

  • 功率耗散

    200 mW

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-16 11:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
2023+
SMD
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PDTB113ET,215 价格

参考价格:¥0.2080

型号:PDTB113ET,215 品牌:NXP 备注:这里有PDTB113ET多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,PDTB113ET批发/采购报价,PDTB113ET行情走势销售排排榜,PDTB113ET报价。