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PBSS5350D中文资料

厂家型号

PBSS5350D

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65.41Kbytes

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8

功能描述

PNP transistor

两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11

数据手册

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生产厂商

PHI

PBSS5350D数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SC-74 plastic package.

NPN complement: PBSS4350D.

FEATURES

• High current capabilities

• Low VCEsat.

APPLICATIONS

• Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers

• VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications

• All battery driven equipment to save battery power.

PBSS5350D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS5350D

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-15 10:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
SOT-163
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
PHI
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SOT-163
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PBSS5350D,125 价格

参考价格:¥0.6581

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