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PBSS5160DS中文资料

厂家型号

PBSS5160DS

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143.46Kbytes

页面数量

14

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7

数据手册

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简称

PHILIPS飞利浦

生产厂商

Philips Semiconductors

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

PBSS5160DS数据手册规格书PDF详情

General description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160DS.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ Dual low power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

PBSS5160DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS5160DS

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-6-20 16:10:00
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PBSS5160DS,115 价格

参考价格:¥0.4819

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