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PBSS4540Z中文资料

厂家型号

PBSS4540Z

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44.32Kbytes

页面数量

8

功能描述

NPN medium power transistor

两极晶体管 - BJT NPN 40V 5A

数据手册

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简称

PHILIPS飞利浦

生产厂商

Philips Semiconductors

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

PBSS4540Z数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package.

PNP complement: PBSS5540Z.

FEATURES

• High current (max. 10 A)

• Low voltage (max. 40 V)

• Low VCEsat.

APPLICATIONS

• Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers

• VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications

• All battery driven equipment to save battery power.

PBSS4540Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PBSS4540Z

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 40V 5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-30 14:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-223
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PBSS4540Z,115 价格

参考价格:¥0.6226

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